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芯联集成（688469.SH）日前宣布，依托自研8英寸碳化硅（SiC）工艺平台，公司正式推出3300V SiC MOSFET器件。该产品面向固态变压器（SST）等高压、高功率密度、高可靠性应用场景深度定制，目前已向核心客户送样验证。

此次3300V SiC器件的发布，是芯联集成长期研发投入与系统代工能力在AI基础设施电源这一高成长赛道的集中体现，也标志着公司在高压宽禁带半导体领域实现又一关键突破，填补了国内高压SiC器件在固态变压器核心功率级应用中的关键空白。

该产品基于8英寸产线自研高压平面栅SiC MOSFET技术，以更小的单元面积和更优的导通电阻-栅电荷优值（RDS(on)×QG），实现了卓越的导通与开关性能。

以10kV中压固态变压器前端为例，相比1200V方案，3300V器件优势：

① 母线电压升至1800~2200V，级联数减60%；

② 功率单元及MOSFET总量减60%，外围器件减70%，PCB大幅简化；

③ 控制与装配成本降低。综合BOM成本降20%~35%，支撑SST高频、小型化、高效演进。

综合来看，3300V 方案可实现系统级BOM成本降低20%~35%，为固态变压器向更高开关频率、更小体积和更高转换效率演进提供核心器件支撑。

为进一步补强固态变压器供应链，公司也将推出适配3300V SiC MOSFET的高频高耐压高功率密度磁性器件。

作为国内碳化硅器件出货量领先的厂商，芯联集成在高压功率半导体领域拥有深厚的技术积淀，已完成650V至3300V全电压段SiC MOSFET产品布局，新一代SiC G2.0工艺平台在能效与可靠性上实现进一步突破，8英寸SiC产线已实现大规模化量产。

根据Yole 3月份发布的2025年碳化硅业务排名，芯联集成是中国SiC器件厂商中位居第一的企业，并跻身全球前五。

随着生成式AI算力需求呈指数级增长，单AI机柜功率密度正向兆瓦级别迈进。英伟达年初宣布推动AI数据中心供电架构向800V HVDC演进，固态变压器成为AI数据中心领域的关键环节；在智能电网与新能源领域，固态变压器同样发挥着核心作用。

随着固态变压器市场的逐步起量，高压SiC器件将迎来更明确的量产需求；从核心器件到系统代工，从AI数据中心到智能电网，公司正以3300V SiC MOSFET为支点，撬动固态变压器这一蓝海市场。这也标志着国产高压SiC器件正从“追赶者”向“定义者”加速转变，为新型电力系统的绿色、高效、智能转型注入了强劲的“中国芯”。

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